Η διαρροή ή το βραχυκύκλωμα της δίοδος εκπομπής φωτός εκδηλώνεται ως μείωση της σύνθετης αντίστασης του τσιπ και αύξηση της αγωγιμότητας, δηλαδή υπάρχει μια πρόσθετη αγώγιμη διαδρομή στο τσιπ διόδων εκπομπής φωτός, η οποία ισοδυναμεί με αντίσταση παράλληλα και στα δύο άκρα του τσιπ. Όταν αυτή η αντίσταση είναι πολύ μικρή και κοντά στο μηδέν, το τσιπ εμφανίζεται ως αποτυχία βραχυκυκλώματος, και όταν η αντίσταση είναι μεγάλη, το τσιπ εμφανίζεται ως αποτυχία διαρροής. Οι κύριες αιτίες της διαρροής ή της αποτυχίας βραχυκυκλώματος είναι: ηλεκτροστατική διάσπαση, υπερηρωική πίεση, και αγώγιμες ουσίες στην επιφάνεια του τσιπ.
Η ηλεκτροστατική διάσπαση οφείλεται κυρίως στην έλλειψη αποτελεσματικής ηλεκτροστατικής προστασίας του δείγματος κατά τη μεταφορά, τη συναρμολόγηση, τη δοκιμή και την εργασία. Η υψηλή τάση που παράγεται από την ηλεκτροστατική επαγωγή εφαρμόζεται άμεσα και στα δύο άκρα του ηλεκτροδίου του τσιπ διόδων εκπομπής φωτός. Όταν η τάση υπερβαίνει την υψηλότερη τάση που το τσιπ μπορεί να αντέξει, θα απορρίψει μεταξύ των δύο ηλεκτροδίων του τσιπ σε ένα πολύ σύντομο χρονικό διάστημα (νανοδευτερόλεπτο επίπεδο). Η παραγόμενη θερμότητα Joule δύναμης κάνει το εσωτερικό αγώγιμο στρώμα και το φως-εκπέμποντας στρώμα της υψηλής θερμοκρασίας τσιπ διόδων εκπομπής φωτός, και η υψηλή θερμοκρασία λειώνει αυτά τα στρώματα στις μικρές τρύπες, προκαλώντας τη διαρροή ή το φαινόμενο βραχυκυκλώματος. Η υπερηλεκτρική πίεση προκαλείται κυρίως από την υπερ-καθορισμένη χρήση του τσιπ διόδων εκπομπής φωτός, ή την υπερηλεκτρική ζημία που προκαλείται από τον σφυγμό υψηλής τάσης που παράγεται από το παροδικό χτύπημα αστραπής, το παροδικό θόρυβο μεταγωγής της παροχής ηλεκτρικού ρεύματος μεταγωγής, και τη διακύμανση του δικτύου ηλεκτρικής ενέργειας.
Ένας άλλος κύριος λόγος για τη διαρροή ή το βραχυκύκλωμα του τσιπ των οδηγήσεων είναι η μετανάστευση του αργύρου στην πλευρά του τσιπ για να διαμορφώσει μια διαδρομή: αυτό είναι επειδή το πλαστικό υλικό σφράγισης των οδηγήσεων το ίδιο δεν είναι αρκετά καλό για να αποτρέψει αποτελεσματικά την υγρασία από την είσοδο στην επιφάνεια της αγώγιμης ασημένιας κόλλας. Κάτω από τη δράση ενός ηλεκτρικού πεδίου, η ηλεκτρόλυση γίνεται ιόντα υδρογόνου και ιόντα υδροξειδίου. Υπό τη δράση των ηλεκτρικών ιόντων πεδίου και υδροξειδίου, το ασήμι διαχωρίζεται για την παραγωγή ιόντων αργύρου. Στο πλαίσιο της δράσης του ηλεκτρικού πεδίου, τα ιόντα αργύρου μεταναστεύουν από το υψηλό δυναμικό στο χαμηλό δυναμικό και σχηματίζουν τη φλοκώδη ή δενδριτική επέκταση σχηματίζει μια αγώγιμη διαδρομή και στα δύο άκρα του τσιπ διόδων εκπομπής φωτός, προκαλώντας τη διαρροή ή το βραχυκύκλωμα του τσιπ.
